Epitaxial growth of germanium dots on silicon (001) surface covered by a very thin dielectric layer: Fid-Bau Portal

Epitaxial growth of germanium dots on silicon (001) surface covered by a very thin dielectric layer

Derivaz, M. / Noe, P. / Rouviere, J. L. / Buttard, D. / Sotta, D. / Gentil, P. / Barski, A.

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Titel:

Epitaxial growth of germanium dots on silicon (001) surface covered by a very thin dielectric layer

Beteiligte:

Derivaz, M. (Autor:in) / Noe, P. (Autor:in) / Rouviere, J. L. (Autor:in) / Buttard, D. (Autor:in) / Sotta, D. (Autor:in) / Gentil, P. (Autor:in) / Barski, A. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -LAUSANNE- ; 89 ; 191 - 195

Erscheinungsdatum:

01.01.2002

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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