Growth of relaxed Si1-xGex layers using an oxygen doped Si(O) compliant layer: Fid-Bau Portal

Growth of relaxed Si1-xGex layers using an oxygen doped Si(O) compliant layer

Haq, E. / Ni, W. X. / Hansson, G. V.

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Titel:

Growth of relaxed Si1-xGex layers using an oxygen doped Si(O) compliant layer

Beteiligte:

Haq, E. ( Autor:in ) / Ni, W. X. ( Autor:in ) / Hansson, G. V. ( Autor:in )

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -LAUSANNE- ; 89 ; 355 - 359

Erscheinungsdatum:

01.01.2002

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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