Characterization of GaN films etched using reactive ion etching technique by secondary ion mass spectrometry: Fid-Bau Portal

Characterization of GaN films etched using reactive ion etching technique by secondary ion mass spectrometry

Naoi, Y. / Kawakami, Y. / Nakanishi, T. / Lacroix, Y. / Shintani, Y. / Sakai, S.

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Titel:

Characterization of GaN films etched using reactive ion etching technique by secondary ion mass spectrometry

Beteiligte:

Naoi, Y. (Autor:in) / Kawakami, Y. (Autor:in) / Nakanishi, T. (Autor:in) / Lacroix, Y. (Autor:in) / Shintani, Y. (Autor:in) / Sakai, S. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING ; 4 ; 555-558

Erscheinungsdatum:

01.01.2001

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

1369-8001

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.38152

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