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    Titel:

    Dependence of the electronic parameters on the InyGa1-yAs quantum well width in modulation-doped AlxGa1-xAs/InyGa1-yAs/GaAs strained single quantum wells

    Beteiligte:

    Lee, D. U. (Autor:in) / Kim, T. W. (Autor:in) / Yoo, K. H. (Autor:in)

    Erschienen in:

    APPLIED SURFACE SCIENCE ; 240 ; 375-380

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2005

    Format / Umfang:

    6 pages

    ISSN:

    0169-4332

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  621.35

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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