High-rate chemical vapor deposition of nanocrystalline silicon carbide films by radio frequency thermal plasma: Fid-Bau Portal

High-rate chemical vapor deposition of nanocrystalline silicon carbide films by radio frequency thermal plasma

Liao, F. / Park, S. / Larson, J. M. / Zachariah, M. R. / Girshick, S. L.

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Titel:

High-rate chemical vapor deposition of nanocrystalline silicon carbide films by radio frequency thermal plasma

Beteiligte:

Liao, F. (Autor:in) / Park, S. (Autor:in) / Larson, J. M. (Autor:in) / Zachariah, M. R. (Autor:in) / Girshick, S. L. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS LETTERS ; 57 ; 1982-1986

Erscheinungsdatum:

01.01.2003

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0167-577X

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.1105 / 530

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