Dislocation behavior in heavily germanium-doped silicon crystal: Fid-Bau Portal

Dislocation behavior in heavily germanium-doped silicon crystal

Taishi, T. / Huang, X. / Yonenaga, I. / Hoshikawa, K.

Zugriff

Zugriff über TIB

Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen

Bestellung bei Subito €

Seitennavigation

Dokumentinformationen

Ähnliche Titel

Exportieren, teilen und zitieren

Dislocation behavior in heavily germanium-doped silicon crystal

Taishi, T. / Huang, X. / Yonenaga, I. / Hoshikawa, K.

Dislocation behavior in heavily germanium-doped silicon crystal

Taishi, T. / Huang, X. / Yonenaga, I. / Hoshikawa, K.

Zugriff

Zugriff über TIB

Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen

Bestellung bei Subito €

Seitennavigation

Dokumentinformationen

Ähnliche Titel

Exportieren, teilen und zitieren

Dokumentinformationen

Titel:

Dislocation behavior in heavily germanium-doped silicon crystal

Beteiligte:

Taishi, T. (Autor:in) / Huang, X. (Autor:in) / Yonenaga, I. (Autor:in) / Hoshikawa, K. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING ; 5 ; 409-412

Erscheinungsdatum:

01.01.2002

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

1369-8001

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.38152

Taishi, T. / Huang, X. / Kubota, M. et al. | British Library Online Contents | 2000

Oxygen precipitation and improved internal gettering in heavily As-doped silicon crystal

Hao, Q. / Liu, C. / Zhang, H. et al. | British Library Online Contents | 2006

Oxide precipitation behavior in heavily doped silicon wafer after rapid thermal process

Sun, S. / Sun, W. / Hao, Q. et al. | British Library Online Contents | 2006

First-principles study of heavily B-doped silicon

Long, R. / Dai, Y. / Huang, B. et al. | British Library Online Contents | 2008

Annealing behavior of phosphorus in native oxide films on heavily phosphorus doped silicon

Ying, W. B. / Mizokawa, Y. / Yu, Y. B. et al. | British Library Online Contents | 1996

Nach oben