Silicon nitride deposited by ECR-CVD at room temperature for LOCOS isolation technology: Fid-Bau Portal

Silicon nitride deposited by ECR-CVD at room temperature for LOCOS isolation technology

Pereira, M. A. / Diniz, J. A. / Doi, I. / Swart, J. W.

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Titel:

Silicon nitride deposited by ECR-CVD at room temperature for LOCOS isolation technology

Beteiligte:

Pereira, M. A. (Autor:in) / Diniz, J. A. (Autor:in) / Doi, I. (Autor:in) / Swart, J. W. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 212-213 ; 388-392

Erscheinungsdatum:

01.01.2003

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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