Gettering Effect with Al Implanted into 4H-SiC CVD Epitaxial Layers: Fid-Bau Portal

Gettering Effect with Al Implanted into 4H-SiC CVD Epitaxial Layers

Kalinina, E. / Kholujanov, G. / Sitnikova, A. / Kossov, V. / Yafaev, R. / Pensl, G. / Reshanov, S. / Hallen, A. / Konstantinov, A.

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Titel:

Gettering Effect with Al Implanted into 4H-SiC CVD Epitaxial Layers

Beteiligte:

Kalinina, E. (Autor:in) / Kholujanov, G. (Autor:in) / Sitnikova, A. (Autor:in) / Kossov, V. (Autor:in) / Yafaev, R. (Autor:in) / Pensl, G. (Autor:in) / Reshanov, S. (Autor:in) / Hallen, A. (Autor:in) / Konstantinov, A. (Autor:in) / Bergman, P.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2002 ; 637-640

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 433/436

Erscheinungsdatum:

01.01.2003

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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