Simulations of High-Voltage 4H-SiC p^+nn^+ Diodes Using a Transient Model for the Deep Boron Level: Fid-Bau Portal

Simulations of High-Voltage 4H-SiC p^+nn^+ Diodes Using a Transient Model for the Deep Boron Level

Domeij, M. / Zimmermann, U. / Aberg, D. / Ostermann, J. / Hallen, A. / Ostling, M.

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Titel:

Simulations of High-Voltage 4H-SiC p^+nn^+ Diodes Using a Transient Model for the Deep Boron Level

Beteiligte:

Domeij, M. (Autor:in) / Zimmermann, U. (Autor:in) / Aberg, D. (Autor:in) / Ostermann, J. (Autor:in) / Hallen, A. (Autor:in) / Ostling, M. (Autor:in) / Bergman, P. / Janzen, E.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2002 ; 847-850

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 433/436

Erscheinungsdatum:

01.01.2003

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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