Novel Buried Field Rings Edge Termination for 4H-SiC High-Voltage Devices: Fid-Bau Portal

Novel Buried Field Rings Edge Termination for 4H-SiC High-Voltage Devices

Mihaila, A. / Udrea, F. / Godignon, P. / Trajkovic, T. / Brezeanu, G. / Rebollo, J. / Millan, J.

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Titel:

Novel Buried Field Rings Edge Termination for 4H-SiC High-Voltage Devices

Beteiligte:

Mihaila, A. (Autor:in) / Udrea, F. (Autor:in) / Godignon, P. (Autor:in) / Trajkovic, T. (Autor:in) / Brezeanu, G. (Autor:in) / Rebollo, J. (Autor:in) / Millan, J. (Autor:in) / Bergman, P. / Janzen, E.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2002 ; 891-894

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 433/436

Erscheinungsdatum:

01.01.2003

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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