A High Voltage (1,750V) and High Current Gain (beta=24.8) 4H-SiC Bipolar Junction Transistor using a Thin (12 mum) Drift layer: Fid-Bau Portal

A High Voltage (1,750V) and High Current Gain (beta=24.8) 4H-SiC Bipolar Junction Transistor using a Thin (12 mum) Drift layer

Zhao, J. H. / Zhang, J. / Alexandrov, P. / Li, X. / Burke, T.

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Titel:

A High Voltage (1,750V) and High Current Gain (beta=24.8) 4H-SiC Bipolar Junction Transistor using a Thin (12 mum) Drift layer

Beteiligte:

Zhao, J. H. (Autor:in) / Zhang, J. (Autor:in) / Alexandrov, P. (Autor:in) / Li, X. (Autor:in) / Burke, T. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 457/460 ; 1173-1176

Erscheinungsdatum:

01.01.2004

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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