A New High Current Gain 4H-SiC Bipolar Junction Transistor with Suppressed Surface Recombination Structure: SSR-BJT: Fid-Bau Portal

A New High Current Gain 4H-SiC Bipolar Junction Transistor with Suppressed Surface Recombination Structure: SSR-BJT

Nonaka, K. / Horiuchi, A. / Negoro, Y. / Iwanaga, K. / Yokoyama, S. / Hashimoto, H. / Sato, M. / Maeyama, Y. / Shimizu, M. / Iwakuro, H.

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Titel:

A New High Current Gain 4H-SiC Bipolar Junction Transistor with Suppressed Surface Recombination Structure: SSR-BJT

Beteiligte:

Nonaka, K. (Autor:in) / Horiuchi, A. (Autor:in) / Negoro, Y. (Autor:in) / Iwanaga, K. (Autor:in) / Yokoyama, S. (Autor:in) / Hashimoto, H. (Autor:in) / Sato, M. (Autor:in) / Maeyama, Y. (Autor:in) / Shimizu, M. (Autor:in) / Iwakuro, H. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 615/617 ; 821-824

Erscheinungsdatum:

01.01.2009

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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