Characterization of 4H-SiC Bipolar Junction Transistor at High Temperatures: Fid-Bau Portal

Characterization of 4H-SiC Bipolar Junction Transistor at High Temperatures

Zhang, N. / Rao, Y. / Xu, N. / Maralani, A. / Pisano, A.P.

Zugriff

Zugriff über TIB

Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen

Bestellung bei Subito €

Seitennavigation

Dokumentinformationen

Ähnliche Titel

Exportieren, teilen und zitieren

Characterization of 4H-SiC Bipolar Junction Transistor at High Temperatures

Zhang, N. / Rao, Y. / Xu, N. / Maralani, A. / Pisano, A.P.

Characterization of 4H-SiC Bipolar Junction Transistor at High Temperatures

Zhang, N. / Rao, Y. / Xu, N. / Maralani, A. / Pisano, A.P.

Zugriff

Zugriff über TIB

Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen

Bestellung bei Subito €

Seitennavigation

Dokumentinformationen

Ähnliche Titel

Exportieren, teilen und zitieren

Dokumentinformationen

Titel:

Characterization of 4H-SiC Bipolar Junction Transistor at High Temperatures

Beteiligte:

Zhang, N. (Autor:in) / Rao, Y. (Autor:in) / Xu, N. (Autor:in) / Maralani, A. (Autor:in) / Pisano, A.P. (Autor:in) / Okumura, H. / Harima, H. / Kimoto, T. / Yoshimoto, M. / Watanabe, H.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2013 ; 1013-1016

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 778/780

Erscheinungsdatum:

01.01.2014

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

Zhang, J. H. / Wu, J. / Alexandrov, P. et al. | British Library Online Contents | 2006

1200 V, 3.3 m Omega SiC Bipolar Junction Transistor Power Modules

Domeij, M. / Konstantinov, A. / Buono, B. et al. | British Library Online Contents | 2013

High Temperature Characterization of 4H-SiC Bipolar Junction Transistors

Krishnaswami, S. / Agarwal, A. K. / Richmond, J. et al. | British Library Online Contents | 2006

A New High Current Gain 4H-SiC Bipolar Junction Transistor with Suppressed Surface Recombination Structure: SSR-BJT

Nonaka, K. / Horiuchi, A. / Negoro, Y. et al. | British Library Online Contents | 2009

Comparison of High-Voltage 4H-SiC Insulated-Gate Bipolar Transistor (IGBT) and MOS-Gated Bipolar Transistor (MGT)

Zhu, L. / Balachandran, S. / Chow, T. P. | British Library Online Contents | 2005

Nach oben