Extraordinary Characteristics of 4H-SiC Trench MOSFETs on Large Off-Axis Substrates: Fid-Bau Portal

Extraordinary Characteristics of 4H-SiC Trench MOSFETs on Large Off-Axis Substrates

Ueoka, Y. / Yano, H. / Okamoto, D. / Hatayama, T. / Fuyuki, T.

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Titel:

Extraordinary Characteristics of 4H-SiC Trench MOSFETs on Large Off-Axis Substrates

Beteiligte:

Ueoka, Y. (Autor:in) / Yano, H. (Autor:in) / Okamoto, D. (Autor:in) / Hatayama, T. (Autor:in) / Fuyuki, T. (Autor:in) / Monakhov, E.V. / Hornos, T. / Svensson, B.G.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2010 ; 666-669

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 679/680

Erscheinungsdatum:

01.01.2011

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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