Sub-100nm T-gate fabrication using a positive resist ZEP520/P(MMA-MAA)/PMMA trilayer by double exposure at 50kV e-beam lithography: Fid-Bau Portal

Sub-100nm T-gate fabrication using a positive resist ZEP520/P(MMA-MAA)/PMMA trilayer by double exposure at 50kV e-beam lithography

Kim, S. C. / Lim, B. O. / Lee, H. S. / Shin, D. H. / Kim, S. K. / Park, H. C. / Rhee, J. K.

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Titel:

Sub-100nm T-gate fabrication using a positive resist ZEP520/P(MMA-MAA)/PMMA trilayer by double exposure at 50kV e-beam lithography

Beteiligte:

Kim, S. C. (Autor:in) / Lim, B. O. (Autor:in) / Lee, H. S. (Autor:in) / Shin, D. H. (Autor:in) / Kim, S. K. (Autor:in) / Park, H. C. (Autor:in) / Rhee, J. K. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING ; 7 ; 7-11

Erscheinungsdatum:

01.01.2004

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

1369-8001

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.38152

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