Improved interfacial and electrical properties of atomic layer deposition HfO2 films on Ge with La2O3 passivation: Fid-Bau Portal

Improved interfacial and electrical properties of atomic layer deposition HfO2 films on Ge with La2O3 passivation

Li, X. F. / Liu, X. J. / Cao, Y. Q. / Li, A. D. / Li, H. / Wu, D.

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Titel:

Improved interfacial and electrical properties of atomic layer deposition HfO2 films on Ge with La2O3 passivation

Beteiligte:

Li, X. F. (Autor:in) / Liu, X. J. (Autor:in) / Cao, Y. Q. (Autor:in) / Li, A. D. (Autor:in) / Li, H. (Autor:in) / Wu, D. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 264 ; 783-786

Erscheinungsdatum:

01.01.2013

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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