Ultrathin HfO2 gate dielectrics on partially strain compensated SiGeC/Si heterostructure: Fid-Bau Portal

Ultrathin HfO2 gate dielectrics on partially strain compensated SiGeC/Si heterostructure

Ray, S. K. / Mahapatra, R. / Maikap, S. / Dhar, A. / Bhattacharya, D. / Lee, J. H.

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Titel:

Ultrathin HfO2 gate dielectrics on partially strain compensated SiGeC/Si heterostructure

Beteiligte:

Ray, S. K. (Autor:in) / Mahapatra, R. (Autor:in) / Maikap, S. (Autor:in) / Dhar, A. (Autor:in) / Bhattacharya, D. (Autor:in) / Lee, J. H. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING ; 7 ; 203-208

Erscheinungsdatum:

01.01.2004

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

1369-8001

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.38152

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