Fabrication and characterization of La-doped HfO2 gate dielectrics by metal-organic chemical vapor deposition: Fid-Bau Portal

Fabrication and characterization of La-doped HfO2 gate dielectrics by metal-organic chemical vapor deposition

Huang, L. Y. / Li, A. D. / Zhang, W. Q. / Li, H. / Xia, Y. D. / Wu, D.

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Titel:

Fabrication and characterization of La-doped HfO2 gate dielectrics by metal-organic chemical vapor deposition

Beteiligte:

Huang, L. Y. (Autor:in) / Li, A. D. (Autor:in) / Zhang, W. Q. (Autor:in) / Li, H. (Autor:in) / Xia, Y. D. (Autor:in) / Wu, D. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 256 ; 2496-2499

Erscheinungsdatum:

01.01.2010

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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