TSUPREM-4 based modeling of boron and carbon diffusion in SiGeC base layers under rapid thermal annealing conditions: Fid-Bau Portal

TSUPREM-4 based modeling of boron and carbon diffusion in SiGeC base layers under rapid thermal annealing conditions

Sibaja-Hernandez, A. / Wei Xu, M. / Decoutere, S. / Maes, H.

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Titel:

TSUPREM-4 based modeling of boron and carbon diffusion in SiGeC base layers under rapid thermal annealing conditions

Beteiligte:

Sibaja-Hernandez, A. (Autor:in) / Wei Xu, M. (Autor:in) / Decoutere, S. (Autor:in) / Maes, H. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING ; 8 ; 115-120

Erscheinungsdatum:

01.01.2005

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

1369-8001

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.38152

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