Fabrication of strained Si nMOSFET transistors on thin buffer layers with selective and non-selective epitaxial growth techniques: Fid-Bau Portal

Fabrication of strained Si nMOSFET transistors on thin buffer layers with selective and non-selective epitaxial growth techniques

Eneman, G. / Verheyen, P. / Rooyackers, R. / Delhougne, R. / Loo, R. / Caymax, M. / Meunier-Beillard, P. / De Meyer, K. / Vandervorst, W.

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Titel:

Fabrication of strained Si nMOSFET transistors on thin buffer layers with selective and non-selective epitaxial growth techniques

Beteiligte:

Eneman, G. (Autor:in) / Verheyen, P. (Autor:in) / Rooyackers, R. (Autor:in) / Delhougne, R. (Autor:in) / Loo, R. (Autor:in) / Caymax, M. (Autor:in) / Meunier-Beillard, P. (Autor:in) / De Meyer, K. (Autor:in) / Vandervorst, W. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING ; 8 ; 337-342

Erscheinungsdatum:

01.01.2005

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

1369-8001

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.38152

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