SiGe/Si PMOSFET using graded channel technique: Fid-Bau Portal

SiGe/Si PMOSFET using graded channel technique

Lin, Y. M. / Wu, S. L. / Chang, S. J. / Chen, P. S. / Liu, C. W.

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Titel:

SiGe/Si PMOSFET using graded channel technique

Beteiligte:

Lin, Y. M. (Autor:in) / Wu, S. L. (Autor:in) / Chang, S. J. (Autor:in) / Chen, P. S. (Autor:in) / Liu, C. W. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING ; 8 ; 347-351

Erscheinungsdatum:

01.01.2005

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

1369-8001

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.38152

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