Large Area SiC Epitaxial Layer Growth in a Warm-Wall Planetary VPE Reactor: Fid-Bau Portal

Large Area SiC Epitaxial Layer Growth in a Warm-Wall Planetary VPE Reactor

Burk, A. A. / O Loughlin, M. J. / Paisley, M. J. / Powell, A. R. / Brady, M. F. / Leonard, R. T. / Muller, S. G. / Allen, S. T.

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Titel:

Large Area SiC Epitaxial Layer Growth in a Warm-Wall Planetary VPE Reactor

Beteiligte:

Burk, A. A. (Autor:in) / O Loughlin, M. J. (Autor:in) / Paisley, M. J. (Autor:in) / Powell, A. R. (Autor:in) / Brady, M. F. (Autor:in) / Leonard, R. T. (Autor:in) / Muller, S. G. (Autor:in) / Allen, S. T. (Autor:in) / Nipoti, R. / Poggi, A.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2004 ; 137-140

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 483/485

Erscheinungsdatum:

01.01.2005

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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