10 x 100 mm 4H-SiC Epitaxial Growth by Warm-Wall Planetary Reactor: Fid-Bau Portal

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10 x 100 mm 4H-SiC Epitaxial Growth by Warm-Wall Planetary Reactor

Dong, L. / Sun, G.S. / Yu, J. / Yan, G.G. / Zhao, W.S. / Wang, L. / Zhang, X.H. / Li, X.G. / Wang, Z.G.

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10 x 100 mm 4H-SiC Epitaxial Growth by Warm-Wall Planetary Reactor

Beteiligte:

Dong, L. ( Autor:in ) / Sun, G.S. ( Autor:in ) / Yu, J. ( Autor:in ) / Yan, G.G. ( Autor:in ) / Zhao, W.S. ( Autor:in ) / Wang, L. ( Autor:in ) / Zhang, X.H. ( Autor:in ) / Li, X.G. ( Autor:in ) / Wang, Z.G. ( Autor:in ) / Lebedev, A.A. ... [mehr]

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2012 Selected, peer reviewed papers from the 9th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2012), September 2-6, 2012, St. Petersburg, Russian Federation ; 239-242

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 740/742

Erscheinungsdatum:

01.01.2013

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Print

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

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