Progress in Large-Area 4H-SiC Epitaxial Layer Growth in a Warm-Wall Planetary Reactor: Fid-Bau Portal

Progress in Large-Area 4H-SiC Epitaxial Layer Growth in a Warm-Wall Planetary Reactor

Thomas, B. / Hansen, D.M. / Zhang, J. / Loboda, M.J. / Uchiyama, J. / Toth, T.J. / Chung, G. / Manning, I.C. / Quast, J.P. / Mueller, S.G.

Zugriff

Zugriff über TIB

Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen

Bestellung bei Subito €

Seitennavigation

Dokumentinformationen

Ähnliche Titel

Exportieren, teilen und zitieren

Progress in Large-Area 4H-SiC Epitaxial Layer Growth in a Warm-Wall Planetary Reactor

Thomas, B. / Hansen, D.M. / Zhang, J. / Loboda, M.J. / Uchiyama, J. / Toth, T.J. / Chung, G. / Manning, I.C. / Quast, J.P. / Mueller, S.G.

Progress in Large-Area 4H-SiC Epitaxial Layer Growth in a Warm-Wall Planetary Reactor

Thomas, B. / Hansen, D.M. / Zhang, J. / Loboda, M.J. / Uchiyama, J. / Toth, T.J. / Chung, G. / Manning, I.C. / Quast, J.P. / Mueller, S.G.

Zugriff

Zugriff über TIB

Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen

Bestellung bei Subito €

Seitennavigation

Dokumentinformationen

Ähnliche Titel

Exportieren, teilen und zitieren

Dokumentinformationen

Titel:

Progress in Large-Area 4H-SiC Epitaxial Layer Growth in a Warm-Wall Planetary Reactor

Beteiligte:

Thomas, B. (Autor:in) / Hansen, D.M. (Autor:in) / Zhang, J. (Autor:in) / Loboda, M.J. (Autor:in) / Uchiyama, J. (Autor:in) / Toth, T.J. (Autor:in) / Chung, G. (Autor:in) / Manning, I.C. (Autor:in) / Quast, J.P. (Autor:in) / Mueller, S.G. (Autor:in)

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2013 PART 1 Selected, peer reviewed papers from the 15^t^h International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, (ICSCRM 2013), September 29 - October 4, 2013, Miyazaki, Japan ; 103-108

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 778/780

Erscheinungsdatum:

01.01.2014

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

Burk, A. A. / O Loughlin, M. J. / Paisley, M. J. et al. | British Library Online Contents | 2005

SiC Epitaxial Layer Growth in a 6x150 mm Warm-Wall Planetary Reactor

Burk, A.A. / Tsvetkov, D. / Barnhardt, D. et al. | British Library Online Contents | 2012

50 μm-Thick 100 mm 4H-SiC Epitaxial Layer Growth by Warm-Wall Planetary Reactor

Sun, Y.Q. / Feng, G. / Li, Z.Y. et al. | British Library Online Contents | 2014

Latest SiC Epitaxial Layer Growth Results in a High-Throughput 6x150 mm Warm-Wall Planetary Reactor

Burk, A.A. / Tsvetkov, D. / O loughlin, M.J. et al. | British Library Online Contents | 2014

10 x 100 mm 4H-SiC Epitaxial Growth by Warm-Wall Planetary Reactor

Dong, L. / Sun, G.S. / Yu, J. et al. | British Library Online Contents | 2013

Nach oben