Latest SiC Epitaxial Layer Growth Results in a High-Throughput 6x150 mm Warm-Wall Planetary Reactor: Fid-Bau Portal

Latest SiC Epitaxial Layer Growth Results in a High-Throughput 6x150 mm Warm-Wall Planetary Reactor

Burk, A.A. / Tsvetkov, D. / O loughlin, M.J. / Ustin, S. / Garrett, L. / Powell, A.R. / Seaman, J. / Partin, N.

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Titel:

Latest SiC Epitaxial Layer Growth Results in a High-Throughput 6x150 mm Warm-Wall Planetary Reactor

Beteiligte:

Burk, A.A. (Autor:in) / Tsvetkov, D. (Autor:in) / O loughlin, M.J. (Autor:in) / Ustin, S. (Autor:in) / Garrett, L. (Autor:in) / Powell, A.R. (Autor:in) / Seaman, J. (Autor:in) / Partin, N. (Autor:in) / Okumura, H. / Harima, H.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2013 PART 1 Selected, peer reviewed papers from the 15^t^h International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, (ICSCRM 2013), September 29 - October 4, 2013, Miyazaki, Japan ; 113-116

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 778/780

Erscheinungsdatum:

01.01.2014

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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