Effects of N~2O Anneal on Channel Mobility of 4H-SiC MOSFET and Gate Oxide Reliability: Fid-Bau Portal

Effects of N~2O Anneal on Channel Mobility of 4H-SiC MOSFET and Gate Oxide Reliability

Fujihira, K. / Tarui, Y. / Ohtsuka, K. I. / Imaizumi, M. / Takami, T.

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Titel:

Effects of N~2O Anneal on Channel Mobility of 4H-SiC MOSFET and Gate Oxide Reliability

Beteiligte:

Fujihira, K. (Autor:in) / Tarui, Y. (Autor:in) / Ohtsuka, K. I. (Autor:in) / Imaizumi, M. (Autor:in) / Takami, T. (Autor:in) / Nipoti, R. / Poggi, A. / Scorzoni, A.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2004 ; 697-700

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 483/485

Erscheinungsdatum:

01.01.2005

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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