Electrical Properties of Aluminum Oxide Films Grown by Atomic Layer Deposition on n-Type 4H-SiC: Fid-Bau Portal

Electrical Properties of Aluminum Oxide Films Grown by Atomic Layer Deposition on n-Type 4H-SiC

Avice, M. / Grossner, U. / Monakhov, E. V. / Grillenberger, J. / Nilsen, O. / Fjellvag, H. / Svensson, B. G.

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Titel:

Electrical Properties of Aluminum Oxide Films Grown by Atomic Layer Deposition on n-Type 4H-SiC

Beteiligte:

Avice, M. (Autor:in) / Grossner, U. (Autor:in) / Monakhov, E. V. (Autor:in) / Grillenberger, J. (Autor:in) / Nilsen, O. (Autor:in) / Fjellvag, H. (Autor:in) / Svensson, B. G. (Autor:in) / Nipoti, R. / Poggi, A. / Scorzoni, A.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2004 ; 705-708

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 483/485

Erscheinungsdatum:

01.01.2005

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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