NH3-RTP grown ultra-thin oxynitride layers for MOS gate applications: Fid-Bau Portal

NH3-RTP grown ultra-thin oxynitride layers for MOS gate applications

Chung, H. Y. / Dietl, W. / Niess, J. / Nenyei, Z. / Lerch, W. / Wieczorek, K. / Krumm, N. / Ludsteck, A. / Eisele, I.

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Titel:

NH3-RTP grown ultra-thin oxynitride layers for MOS gate applications

Beteiligte:

Chung, H. Y. (Autor:in) / Dietl, W. (Autor:in) / Niess, J. (Autor:in) / Nenyei, Z. (Autor:in) / Lerch, W. (Autor:in) / Wieczorek, K. (Autor:in) / Krumm, N. (Autor:in) / Ludsteck, A. (Autor:in) / Eisele, I. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -LAUSANNE- ; 118 ; 55-59

Erscheinungsdatum:

01.01.2005

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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