Application of N2/Ar inductively coupled plasma → the photoresist ashing for low-k dielectrics: Fid-Bau Portal

Application of N2/Ar inductively coupled plasma → the photoresist ashing for low-k dielectrics

Kim, H. W. / Myung, J. H. / Kim, N. H. / Yoo, C. G. / Suh, K. W. / Kim, S. K. / Choi, D. K. / Chung, C. W. / Kang, C. J. / Park, W. J.

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Kim, H. W. / Myung, J. H. / Kim, N. H. / Yoo, C. G. / Suh, K. W. / Kim, S. K. / Choi, D. K. / Chung, C. W. / Kang, C. J. / Park, W. J.

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Titel:

Application of N2/Ar inductively coupled plasma → the photoresist ashing for low-k dielectrics

Beteiligte:

Kim, H. W. (Autor:in) / Myung, J. H. (Autor:in) / Kim, N. H. (Autor:in) / Yoo, C. G. (Autor:in) / Suh, K. W. (Autor:in) / Kim, S. K. (Autor:in) / Choi, D. K. (Autor:in) / Chung, C. W. (Autor:in) / Kang, C. J. (Autor:in) / Park, W. J. (Autor:in)

Erschienen in:

JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE ; 40 ; 3543-3544

Erscheinungsdatum:

01.01.2005

Format / Umfang:

2 pages

ISSN:

0022-2461

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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