SiGe virtual substrates growth up to 50% Ge concentration for Si/Ge dual channel epitaxy: Fid-Bau Portal

SiGe virtual substrates growth up to 50% Ge concentration for Si/Ge dual channel epitaxy

Bogumilowicz, Y. / Hartmann, J. M. / Cherkashin, N. / Claverie, A. / Rolland, G. / Billon, T.

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Titel:

SiGe virtual substrates growth up to 50% Ge concentration for Si/Ge dual channel epitaxy

Beteiligte:

Bogumilowicz, Y. (Autor:in) / Hartmann, J. M. (Autor:in) / Cherkashin, N. (Autor:in) / Claverie, A. (Autor:in) / Rolland, G. (Autor:in) / Billon, T. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -LAUSANNE- ; 124-125 ; 113-117

Erscheinungsdatum:

01.01.2005

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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