Morphological defects and uniformity issues of 4H-SiC homoepitaxial layers grown on off-oriented (0001) Si faces: Fid-Bau Portal

Morphological defects and uniformity issues of 4H-SiC homoepitaxial layers grown on off-oriented (0001) Si faces

Sun, G. S. / Liu, X. F. / Gong, Q. C. / Wang, L. / Zhao, W. S. / Li, J. Y. / Zeng, Y. P. / Li, J. M.

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Titel:

Morphological defects and uniformity issues of 4H-SiC homoepitaxial layers grown on off-oriented (0001) Si faces

Beteiligte:

Sun, G. S. (Autor:in) / Liu, X. F. (Autor:in) / Gong, Q. C. (Autor:in) / Wang, L. (Autor:in) / Zhao, W. S. (Autor:in) / Li, J. Y. (Autor:in) / Zeng, Y. P. (Autor:in) / Li, J. M. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING ; 9 ; 275-278

Erscheinungsdatum:

01.01.2006

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

1369-8001

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.38152

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