Deep level defects in H^+ implanted 6H-SiC epilayers and in silicon carbide on insulator structures: Fid-Bau Portal

Deep level defects in H^+ implanted 6H-SiC epilayers and in silicon carbide on insulator structures

Hugonnard-Bruyere, E. / Lauer, V. / Guillot, G. / Jaussaud, C.

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Titel:

Deep level defects in H^+ implanted 6H-SiC epilayers and in silicon carbide on insulator structures

Beteiligte:

Hugonnard-Bruyere, E. (Autor:in) / Lauer, V. (Autor:in) / Guillot, G. (Autor:in) / Jaussaud, C. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -LAUSANNE- B ; 61-62 ; 382 - 388

Erscheinungsdatum:

01.01.1999

Format / Umfang:

7 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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