Study of HfSiO film prepared by electron beam evaporation for high-k gate dielectric applications: Fid-Bau Portal

Study of HfSiO film prepared by electron beam evaporation for high-k gate dielectric applications

Cheng, X. / Song, Z. / Jiang, J. / Yu, Y. / Yang, W. / Shen, D.

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Titel:

Study of HfSiO film prepared by electron beam evaporation for high-k gate dielectric applications

Beteiligte:

Cheng, X. (Autor:in) / Song, Z. (Autor:in) / Jiang, J. (Autor:in) / Yu, Y. (Autor:in) / Yang, W. (Autor:in) / Shen, D. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 252 ; 8073-8076

Erscheinungsdatum:

01.01.2006

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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