Current Analysis of Ion Implanted p^+/n 4H-SiC Junctions: Post-Implantation Annealing in Ar Ambient: Fid-Bau Portal

Current Analysis of Ion Implanted p^+/n 4H-SiC Junctions: Post-Implantation Annealing in Ar Ambient

Nipoti, R. / Bergamini, F. / Moscatelli, F. / Poggi, A. / Canino, M. / Bertuccio, G.

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Titel:

Current Analysis of Ion Implanted p^+/n 4H-SiC Junctions: Post-Implantation Annealing in Ar Ambient

Beteiligte:

Nipoti, R. (Autor:in) / Bergamini, F. (Autor:in) / Moscatelli, F. (Autor:in) / Poggi, A. (Autor:in) / Canino, M. (Autor:in) / Bertuccio, G. (Autor:in) / Devaty, R. P. / Larkin, D. J. / Saddow, S. E.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials - 2005 ; 815-818

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 527/529

Erscheinungsdatum:

01.01.2006

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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