1836 V, 4.7 mOmegaΩcm^2 High Power 4H-SiC Bipolar Junction Transistor: Fid-Bau Portal

1836 V, 4.7 mOmegaΩcm^2 High Power 4H-SiC Bipolar Junction Transistor

Zhang, J. H. / Wu, J. / Alexandrov, P. / Burke, T. / Sheng, K. / Zhao, J. H.

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Titel:

1836 V, 4.7 mOmegaΩcm^2 High Power 4H-SiC Bipolar Junction Transistor

Beteiligte:

Zhang, J. H. (Autor:in) / Wu, J. (Autor:in) / Alexandrov, P. (Autor:in) / Burke, T. (Autor:in) / Sheng, K. (Autor:in) / Zhao, J. H. (Autor:in) / Devaty, R. P. / Larkin, D. J. / Saddow, S. E.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials - 2005 ; 1417-1420

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 527/529

Erscheinungsdatum:

01.01.2006

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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