Residual Stress Measurement of Porous Silicon Thin Film by Substrate Curvature Method: Fid-Bau Portal

Residual Stress Measurement of Porous Silicon Thin Film by Substrate Curvature Method

Di, Y. X. / Ji, X. H. / Hu, M. / Qin, Y. W. / Chen, J. L.

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Titel:

Residual Stress Measurement of Porous Silicon Thin Film by Substrate Curvature Method

Beteiligte:

Di, Y. X. (Autor:in) / Ji, X. H. (Autor:in) / Hu, M. (Autor:in) / Qin, Y. W. (Autor:in) / Chen, J. L. (Autor:in) / Lee, S.-B. / Kim, Y.-J.

Erschienen in:

Experimental Mechanics in Nano and Biotechnology ; 223-226

KEY ENGINEERING MATERIALS ; 326/328

Erscheinungsdatum:

01.01.2006

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

1013-9826

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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