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    Dokumentinformationen
    Titel:

    The effect of oxygen in Ru gate electrode on effective work function of Ru/HfO2 stack structure

    Beteiligte:

    Nabatame, T. (Autor:in) / Segawa, K. (Autor:in) / Kadoshima, M. (Autor:in) / Takaba, H. (Autor:in) / Iwamoto, K. (Autor:in) / Kimura, S. (Autor:in) / Nunoshige, Y. (Autor:in) / Satake, H. (Autor:in) / Ohishi, T. (Autor:in) / Toriumi, A. (Autor:in)

    Erschienen in:

    MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING ; 9 ; 975-979

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2006

    Format / Umfang:

    5 pages

    ISSN:

    1369-8001

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  621.38152

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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