Effect of modification of S-terminated Ge(100) surface on ALD HfO2 gate stack: Fid-Bau Portal

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Effect of modification of S-terminated Ge(100) surface on ALD HfO2 gate stack

Lee, Y. / Park, K. / Im, K. T. / Lee, J. Y. / Im, S. / Lee, J. H. / Yi, Y. / Lim, S.

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Effect of modification of S-terminated Ge(100) surface on ALD HfO2 gate stack

Beteiligte:

Lee, Y. (Autor:in) / Park, K. (Autor:in) / Im, K. T. (Autor:in) / Lee, J. Y. (Autor:in) / Im, S. (Autor:in) / Lee, J. H. (Autor:in) / Yi, Y. (Autor:in) / Lim, S. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 255 ; 7179-7182

Erscheinungsdatum:

01.01.2009

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Print

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

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