Achieving Low Sheet Resistance from Implanted P-Type Layers in 4H-SiC Using High Temperature Graphite Capped Annealing: Fid-Bau Portal

Achieving Low Sheet Resistance from Implanted P-Type Layers in 4H-SiC Using High Temperature Graphite Capped Annealing

Wang, Y. / Losee, P. A. / Balachandran, S. / Bhat, I. / Chow, T. P. / Skromme, B. J. / Kim, J. K. / Schubert, E. F.

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Titel:

Achieving Low Sheet Resistance from Implanted P-Type Layers in 4H-SiC Using High Temperature Graphite Capped Annealing

Beteiligte:

Wang, Y. (Autor:in) / Losee, P. A. (Autor:in) / Balachandran, S. (Autor:in) / Bhat, I. (Autor:in) / Chow, T. P. (Autor:in) / Skromme, B. J. (Autor:in) / Kim, J. K. (Autor:in) / Schubert, E. F. (Autor:in) / Wright, N. / Johnson, C. M.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2006 ; 567-570

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 556/557

Erscheinungsdatum:

01.01.2007

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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