Effect of high temperature annealing (T > 1650 °C) on the morphological and electrical properties of p-type implanted 4H-SiC layers: Fid-Bau Portal

Effect of high temperature annealing (T > 1650 °C) on the morphological and electrical properties of p-type implanted 4H-SiC layers

Spera, M. / Corso, D. / Di Franco, S. / Greco, G. / Severino, A. / Fiorenza, P. / Giannazzo, F. / Roccaforte, F.

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Titel:

Effect of high temperature annealing (T > 1650 °C) on the morphological and electrical properties of p-type implanted 4H-SiC layers

Beteiligte:

Spera, M. (Autor:in) / Corso, D. (Autor:in) / Di Franco, S. (Autor:in) / Greco, G. (Autor:in) / Severino, A. (Autor:in) / Fiorenza, P. (Autor:in) / Giannazzo, F. (Autor:in) / Roccaforte, F. (Autor:in)

Erschienen in:

Materials science in semiconductor processing ; 93 ; 274-279

Erscheinungsdatum:

01.01.2019

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

1369-8001

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.38152

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