Fabrication of MOS Capacitors by Wet Oxidation of p-Type 4H-SiC Preamorphized by Nitrogen Ion Implantation: Fid-Bau Portal

Fabrication of MOS Capacitors by Wet Oxidation of p-Type 4H-SiC Preamorphized by Nitrogen Ion Implantation

Hijikata, Y. / Yoshida, S. / Moscatelli, F. / Poggi, A. / Solmi, S. / Cristiani, S. / Nipoti, R.

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Titel:

Fabrication of MOS Capacitors by Wet Oxidation of p-Type 4H-SiC Preamorphized by Nitrogen Ion Implantation

Beteiligte:

Hijikata, Y. (Autor:in) / Yoshida, S. (Autor:in) / Moscatelli, F. (Autor:in) / Poggi, A. (Autor:in) / Solmi, S. (Autor:in) / Cristiani, S. (Autor:in) / Nipoti, R. (Autor:in) / Wright, N. / Johnson, C. M. / Vassilevski, K.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2006 ; 651-654

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 556/557

Erscheinungsdatum:

01.01.2007

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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