Fabrication and Characterization of 4H-SiC MOSFET with MOCVD-Grown Al~2O~3 Gate Insulator: Fid-Bau Portal

Fabrication and Characterization of 4H-SiC MOSFET with MOCVD-Grown Al~2O~3 Gate Insulator

Hino, S. / Hatayama, T. / Miura, N. / Oomori, T. / Tokumitsu, E.

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Titel:

Fabrication and Characterization of 4H-SiC MOSFET with MOCVD-Grown Al~2O~3 Gate Insulator

Beteiligte:

Hino, S. (Autor:in) / Hatayama, T. (Autor:in) / Miura, N. (Autor:in) / Oomori, T. (Autor:in) / Tokumitsu, E. (Autor:in) / Wright, N. / Johnson, C. M. / Vassilevski, K. / Nikitina, I. / Horsfall, A.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2006 ; 787-790

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 556/557

Erscheinungsdatum:

01.01.2007

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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