Oxidation Process by RTP for 4H-SiC MOSFET Gate Fabrication: Fid-Bau Portal

Oxidation Process by RTP for 4H-SiC MOSFET Gate Fabrication

Constant, A. / Camara, N. / Montserrat, J. / Pausas, E. / Camassel, J. / Godignon, P.

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Titel:

Oxidation Process by RTP for 4H-SiC MOSFET Gate Fabrication

Beteiligte:

Constant, A. (Autor:in) / Camara, N. (Autor:in) / Montserrat, J. (Autor:in) / Pausas, E. (Autor:in) / Camassel, J. (Autor:in) / Godignon, P. (Autor:in) / Monakhov, E.V. / Hornos, T. / Svensson, B.G.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2010 ; 500-503

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 679/680

Erscheinungsdatum:

01.01.2011

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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