Spectroscopic studies of Er-centers in MOCVD grown GaN layers highly doped with Er: Fid-Bau Portal

Spectroscopic studies of Er-centers in MOCVD grown GaN layers highly doped with Er

Makarova, K. / Stachowicz, M. / Glukhanyuk, V. / Kozanecki, A. / Ugolini, C. / Lin, J. Y. / Jiang, H. X. / Zavada, J.

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Titel:

Spectroscopic studies of Er-centers in MOCVD grown GaN layers highly doped with Er

Beteiligte:

Makarova, K. (Autor:in) / Stachowicz, M. (Autor:in) / Glukhanyuk, V. (Autor:in) / Kozanecki, A. (Autor:in) / Ugolini, C. (Autor:in) / Lin, J. Y. (Autor:in) / Jiang, H. X. (Autor:in) / Zavada, J. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -LAUSANNE- ; 146 ; 193-195

Erscheinungsdatum:

01.01.2008

Format / Umfang:

3 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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