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    Dokumentinformationen
    Titel:

    Nitric acid oxidation method to form SiO2/3C-SiC structure at 120degreeC

    Beteiligte:

    Im, S. S. (Autor:in) / Terakawa, S. (Autor:in) / Iwasa, H. (Autor:in) / Kobayashi, H. (Autor:in)

    Erschienen in:

    APPLIED SURFACE SCIENCE ; 254 ; 3667-3671

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2008

    Format / Umfang:

    5 pages

    ISSN:

    0169-4332

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  621.35

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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