Selective vapor phase etching of SiGe by HCl in a RPCVD reactor: Fid-Bau Portal

Selective vapor phase etching of SiGe by HCl in a RPCVD reactor

Yamamoto, Y. / Kopke, K. / Kurps, R. / Tillack, B.

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Titel:

Selective vapor phase etching of SiGe by HCl in a RPCVD reactor

Beteiligte:

Yamamoto, Y. (Autor:in) / Kopke, K. (Autor:in) / Kurps, R. (Autor:in) / Tillack, B. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 254 ; 6037-6039

Erscheinungsdatum:

01.01.2008

Format / Umfang:

3 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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