Improvement of Electron Channel Mobility in 4H SiC MOSFET by Using Nitrogen Implantation: Fid-Bau Portal

Improvement of Electron Channel Mobility in 4H SiC MOSFET by Using Nitrogen Implantation

Moscatelli, F. / Nipoti, R. / Solmi, S. / Cristiani, S. / Sanmartin, M. / Poggi, A.

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Titel:

Improvement of Electron Channel Mobility in 4H SiC MOSFET by Using Nitrogen Implantation

Beteiligte:

Moscatelli, F. (Autor:in) / Nipoti, R. (Autor:in) / Solmi, S. (Autor:in) / Cristiani, S. (Autor:in) / Sanmartin, M. (Autor:in) / Poggi, A. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 600/603 ; 699-702

Erscheinungsdatum:

01.01.2009

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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