Determination of Intrinsic Defects in High-Purity Semi-Insulating 4H-SiC by Discharge Current Transient Spectroscopy: Fid-Bau Portal

Determination of Intrinsic Defects in High-Purity Semi-Insulating 4H-SiC by Discharge Current Transient Spectroscopy

Matsuura, H. / Takahashi, M. / Kagawa, Y. / Tano, S. / Miyake, T.

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Titel:

Determination of Intrinsic Defects in High-Purity Semi-Insulating 4H-SiC by Discharge Current Transient Spectroscopy

Beteiligte:

Matsuura, H. (Autor:in) / Takahashi, M. (Autor:in) / Kagawa, Y. (Autor:in) / Tano, S. (Autor:in) / Miyake, T. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 615/617 ; 385-388

Erscheinungsdatum:

01.01.2009

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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