Influence of Growth Rate and C/Si-Ratio on the Formation of Point and Extended Defects in 4H-SiC Homoepitaxial Layers Investigated by DLTS: Fid-Bau Portal

Influence of Growth Rate and C/Si-Ratio on the Formation of Point and Extended Defects in 4H-SiC Homoepitaxial Layers Investigated by DLTS

Zippelius, B. / Krieger, M. / Weber, H.B. / Pensl, G. / Kallinger, B. / Friedrich, J. / Thomas, B.

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Titel:

Influence of Growth Rate and C/Si-Ratio on the Formation of Point and Extended Defects in 4H-SiC Homoepitaxial Layers Investigated by DLTS

Beteiligte:

Zippelius, B. (Autor:in) / Krieger, M. (Autor:in) / Weber, H.B. (Autor:in) / Pensl, G. (Autor:in) / Kallinger, B. (Autor:in) / Friedrich, J. (Autor:in) / Thomas, B. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 615/617 ; 393-396

Erscheinungsdatum:

01.01.2009

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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