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CL/EBIC-SEM Techniques for Evaluation of Impact of Crystallographic Defects on Carrier Lifetime in 4H-SiC Epitaxial Layers

Maximenko, S.I. / Freitas, J.A. / Picard, Y.N. / Klein, P.B. / Myers-Ward, R.L. / Lew, K.K. / Muzykov, P.G. / Gaskill, D.K. / Eddy, C.R. / Sudarshan, T.S.

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Maximenko, S.I. / Freitas, J.A. / Picard, Y.N. / Klein, P.B. / Myers-Ward, R.L. / Lew, K.K. / Muzykov, P.G. / Gaskill, D.K. / Eddy, C.R. / Sudarshan, T.S.

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Maximenko, S.I. / Freitas, J.A. / Picard, Y.N. / Klein, P.B. / Myers-Ward, R.L. / Lew, K.K. / Muzykov, P.G. / Gaskill, D.K. / Eddy, C.R. / Sudarshan, T.S.

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Titel:

CL/EBIC-SEM Techniques for Evaluation of Impact of Crystallographic Defects on Carrier Lifetime in 4H-SiC Epitaxial Layers

Beteiligte:

Maximenko, S.I. (Autor:in) / Freitas, J.A. (Autor:in) / Picard, Y.N. (Autor:in) / Klein, P.B. (Autor:in) / Myers-Ward, R.L. (Autor:in) / Lew, K.K. (Autor:in) / Muzykov, P.G. (Autor:in) / Gaskill, D.K. (Autor:in) / Eddy, C.R. (Autor:in) / Sudarshan, T.S. (Autor:in)

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2009 ; 211-214

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 645/648

Erscheinungsdatum:

01.01.2010

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Print

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

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